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王 迅 教 授
获 奖
半导体表面电子态理论与实验
国家教委科技进步奖(甲类) 二等 1986
InP 极性表面的原子结构和电子态
国家教委科技进步奖(甲类) 二等 1988
硅分子束外延生长异质结构及其特性
国家教委科技进步奖(甲类) 三等 1990
高完整性 GeSi/Si 应变层超晶格的生长和表征
国家教委科技进步奖(甲类) 三等 1992
III-V 族化合物半导体的极性表面和界面研究
国家教委科技进步奖(甲类) 二等 1995
硅的表面结构与表面吸附研究
国家教委科技进步奖(甲类) 三等 1996
1996年度光华科技基金二等奖
多孔硅的发光特性和机理研究
国家教委科技进步奖(甲类) 二等 1997
半导体超晶格声子的拉曼光谱学研究
国家教委科技进步奖(甲类) 二等 1997 (第6完成人)
中国物理学会第五届叶企孙物理奖 1997
1998年度何梁何利基金科学与技术进步奖
硅基低维结构材料的研制物性研究及新型器件制备
2001年上海市科技进步一等奖
硅基低维结构材料的研制物性研究及新型器件制备
2002年国家自然科学二等奖
用电子能谱方法研究半导体表面的物理和化学特性
2003 年上海市科技进步一等奖
用计算凝聚态物理方法研究多种新型材料的结构、电子态和物理特性
2004 年上海市科技进步三等奖
最后更新日期:06/26/2005
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