复杂量子材料与微结构研究组

ARPES+OMBE+STM联合系统

WechatIMG3

He3 极低温STM


图片 31

Unisoku1300, 350mK LT-STM
MBE+OxideMBE. Constructed in 2013.
型号:Unisoku USM1300
T=400 mK,11T磁场

Createc VT STM

createc

变温4-77KSTM, 包括MBE腔。

稀释致冷极低温STM

stm1600

型号:Unisoku USM1600
T= 20 mK,矢量磁场:9T(v)+2T(h),MBE腔
是目前商业化STM中最低温度的,可以用于极低温非常规超导的研究。
矢量磁场使得自旋分辨更加方便。能量分辨可达到50微电子伏。

角分辨光电子能谱(ARPES)+MBE薄膜生长设备

ARPES

MBE.JPG
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Dec 2019