FeSe/STO界面超导的机理: 界面前向电声子相互作用

氧化物上的单层FeSe薄膜有着铁基超导及单层薄膜的超导转变温度记录,其界面超导的研究被誉为超导的新前沿。然而,尽管在过去几年涌现出大量的研究工作, FeSe/STO高温超导的背后机理方面仍然缺乏判据性的实验, 存在很大的争议,FeSe/STO为何会出现高温超导仍然是一个谜题。在过去两年中,我们对大量高质量的FeSe/STO样品进行了系统的研究。通过ARPESEELS实验来研究体系的氧同位素效应,我们直接证明电子结构上的卫星峰源于FeSe中的电子与界面的光学支声子的相互作用。 超导能隙的大小与界面电声子相互作用的强度线性相关,而并非BCS型的指数相关,表明界面前向电声子相互作用与超导直接相关。其高温超导由两部分共同贡献:一部分类似于重度电子掺杂的FeSe材料的自旋/轨道涨落导致,贡献约46K的超导,而界面电声子相互作用在此基础上实现超导的进一步提升。这个实验结果不仅解答了单层FeSe/STO高温超导的谜题,而且第一次从实验上表明界面前向电声子相互作用可以在关联体系的超导中扮演重要的角色,提高非常规超导的超导转变温度。这将加深我们对现有层状高温超导材料中的高温机理的理解,并有利于构建新的界面高温超导体系。该工作发表在Nat Commun, 10, 758 (2019)

图 单层FeSe:STO中超导能隙与界面电声子耦合强度线性相关

单层FeSe/STO中超导能隙与界面电声子耦合强度线性相关