Here in Fudan University, we organize a series of seminars on the topic relating to spin physics. To strengthen the in-person discussions, all seminars would be on-site, under the circumstances allowed by the easing situation for the pandemic.
Here are a list of recent future and past seminars, check out this link for a complete list of all seminars.
2021/05/27 - Thursday
Title: 金属多层膜中自旋流的耗散理论
Speaker: 袁喆 | 北京师范大学
Time: 2021/05/27（周四）上午 10:00
Location: 江湾校区物理楼C101
Host: Yizheng Wu | 吴义政
Abstract: 自旋流的输运与耗散是自旋电子学的核心问题之一。与基尔霍夫定律描述的电流守恒不同，自旋极化的电流或纯自旋流会在所谓自旋扩散长度的空间尺度上逐步失去极化，导致自旋流的效应较难被观测到。例如直到插入两个铁磁薄膜的非磁层厚度达到自旋扩散长度的量级时，巨磁阻效应才得以被实验发现。尽管自旋流的耗散源于自旋轨道耦合，但在系统研究了5d过渡金属材料之后，我们发现在电-声子作用主导的散射机制下，自旋扩散长度与自旋轨道耦合的强度并没有直接关联，而费米面态密度起到了决定性作用。…
Date: TBD
Title: 自旋轨道矩存储器的发展趋势及关键科学问题
Speaker: 赵巍胜 | 北京航空航天大学
Time: 2021/05/17（周一）上午 10:00
Location: 江湾校区物理楼C101
Host: Jiang Xiao | 肖江
Abstract: 基于磁学、凝聚态物理及微电子等学科交叉，自旋电子学在1988年巨磁阻效应发现后获得了快速发展，带来了大容量信息存储并推动了云计算及大数据等新型信息技术的广泛应用。Albert Fert（现北京航空航天大学费尔北京研究院首席科学家）及Peter Grunberg因而获得2007年诺贝尔物理学奖。基于自旋电子学与集成电路技术的深度交叉，自旋存储芯片（MRAM）被提出，利用电子的自旋属性进行信息存储，因具有非易失、高速、低功耗、耐擦写、抗辐射等优点而被视为新型存储器技术的有力竞争者，且已有部分产品在特定领域获得大量应用。…
2021/04/23 - Friday
Title: 反铁磁自旋电子学
Speaker: 宋成 | 清华大学 - 材料学院
Time: 2021/04/23（周五）下午 14:00
Location: 江湾校区物理楼 C101
Host: Yizheng Wu | 吴义政
Abstract: 大数据、云计算和人工智能的发展要求新型存储器在保障高速和非易失性特点的同时，不断向更高密度、更低功耗方向发展。反铁磁材料因其无杂散场、内禀频率高、抗外磁场干扰等优势，成为超快、超高密度信息存储的重要发展方向，并有望应用于防范电磁威胁的高频电子器件。鉴于反铁磁净磁矩为零、对外磁场不敏感的特性，如何实现反铁磁磁矩的操控与探测成为当前自旋电子学领域的前沿和研究热点。…